11月8日，国产高性能、低老本、硅基氮化镓（GaN-on-Si）电源处治决策公司英诺赛科秘书，好意思国外洋买卖委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）于2024年11月7日发布的337走访终裁决定证实，英诺赛科的客户将其家具入口到好意思国的正当性不受英诺赛科和宜普电源调理公司（Efficient power Conversion Corporation，EPC）之间正在进行的专利纠纷的影响。
客岁5月，EPC在ITC对英诺赛科拿起专利侵权诉讼走访，声称英诺赛科侵扰了EPC的US’508号专利和US’294号专利。本年7月，ITC行政法官作出初步裁定，认定英诺赛科莫得侵扰EPC的US'508号专利的权力条件1（该专利中独一被EPC用来见解权力的权力条件），而今天，ITC的最新终裁决定再次说明英诺赛科莫得侵扰该US’508号专利，这对英诺赛科来说是一个宏大的到手。
然则，终裁决定看护了行政法官初步裁决中认定的侵扰了US'294号专利权力条件2和3的部分情形。因此，ITC将决定发布有限排斥令，辞谢英诺赛科将某些被指控的芯片手脚径直家具出口到好意思国。
对此，英诺赛科示意，不痛快这一裁决，并将对此进一步冷落上诉。这至少是因为US'294号专利自己的权力基础是不相识的，被无效的可能性很大。事实上，好意思国专利商标局（“USPTO”）以四种不同的情理对US'294号专利的所有权力条件进行了两边复审（“IPR”），并痛快英诺赛科的无效论点。US'294号专利的IPR无效审查决定将于2025年3月发布。
英诺赛科还指出，凭据好意思轨则律法例，有限排斥令并不辞谢英诺赛科的客户将使用被指控芯片的末端家具入口到好意思国商场。此外，由于终裁决定明白了“赔偿GaN层”这一权力条件术语的含义，而这恰是两边围绕US'294号专利争议的中枢，因此也为英诺赛科提供了明确的狡饰盘算提醒，通过幸免使用“赔偿GaN层”这一工夫特征，就不错已毕对US'294号专利的狡饰。现在英诺赛科也曾完成了狡饰盘算决策，并将很快发布狡饰盘算后的新家具。
因此，EPC诉讼不会对英诺赛科的客户带来不利影响。此外，英诺赛科将不时通过法院上诉时势和好意思国专利商标局的无效时势来鼓励处治与EPC的纠纷，并有信心获取最终的皆备到手。
据悉，按折算氮化镓分立器件出货量计，英诺赛科于2023年在公共氮化镓功率半导体公司中排行第一，市占率为42.4%；放置2023年12月31日，公司累计出货量向上5亿颗。手脚公共首家已毕量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，现在英诺赛科也曾发展成为公共功率半导体转换的提醒者，亦是公共独一具备产业畛域提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体家具的公司。
剪辑：芯智讯-浪客剑
